IRLML6401TRPBF TI德州 场效应管MOSFET 12V 4.3A SOT-23优势产品原装现货进口热卖

IRLML6401TRPBF产品详细规格

高度1.02mm

晶体管材料Si

类别功率MOSFET

长度3.04mm

典型输入电容值@Vds830pF@10V

通道模式增强

安装类型表面贴装

每片芯片元件数目1

最大漏源电阻值50mΩ

通道类型P

BoardLevelComponentsY

最高工作温度+150°C

最大栅阈值电压0.95V

最低工作温度-55°C

最大功率耗散1.3W

最大栅源电压±8V

宽度1.4mm

尺寸3.04x1.4x1.02mm

最小栅阈值电压0.4V

最大漏源电压12V

典型接通延迟时间11ns

典型关断延迟时间250ns

封装类型微型

最大连续漏极电流4.3A

引脚数目3

晶体管配置单

典型栅极电荷@Vgs10nC@5V

工厂包装数量3000

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage-12V

晶体管极性P-Channel

RdsOn-Drain-SourceResistance50mOhms

Pd-PowerDissipation1.3W

品牌InfineonTechnologies

Id-ContinuousDrainCurrent-4.3A

封装Reel

身高1.1mm

安装风格SMD/SMT

长度2.9mm

封装/外壳SOT-23-3

通道数1Channel

Qg-GateCharge10nC

Vgs-Gate-SourceVoltage8V

晶体管类型1P-Channel