SI3443DVTRPBF数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSOP-6

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 4.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

Qg-栅极电荷: 11 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.1 mm

长度: 3 mm

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: HEXFET Power MOSFET

宽度: 1.5 mm

商标: Infineon / IR

下降时间: 72 ns

湿度敏感性: Yes

产品类型: MOSFET

上升时间: 33 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 70 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

零件号别名: SP001563096

单位重量: 20 mg