致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。

        美高森美的NPT IGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能广大范围的工业应用，最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器，以及不间断电源和开关电源。1200V产品系列中的所有器件均以美高森美的先进Power MOS 8™技术为基础，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。

       美高森美新的NPT IGBT解决方案与该产品系列中的所有器件相一致，可以与美高森美的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装，为工程师提供高集成度解决方案，以便简化产品开发工作。其它特性包括：

· 与同类器件相比，栅极电荷显著减少，具有更快的开关性能；

· 硬开关运作频率超过80KHz，实现高效的功率转换；

· 易于并联(Vcesat的正温度系数)，提升大功率应用的可靠性

·  额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT)，在需要短路能力的应用中实现可靠运作

        除了器件优势之外，美高森美为NPT IGBT器件提供贴片 D3封装，可让设计人员实现更高的功率密度和更低的制造成本。

       封装和供货

       美高森美的1200V NPT IGBT产品系列现在包括20多款器件，额定电流有25A、40A、50A、70A和85A，IGBT产品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封装供货。