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QSX1TR

概述

TRANSISTOR NPN 12V 6A TSMT6

厂商

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A,电压 - 集射极击穿(最大值):12V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):200mV @ 60mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):270 @ 500mA,2V,功率 - 最大值:1.25W,频率 - 跃迁:250MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6,供应商器件封装:TSMT6

引脚图与功能

暂无QSX1TR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无QSX1TR的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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