QST3TR技术参数_QST3TR资料_QST3TR引脚图

QST3TR

概述

TRANSISTOR PNP 30V 4A TSMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:5A,电压 - 集射极击穿（最大值）:30V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 40mA，2A,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:270 @ 500mA，2V,功率 - 最大值:1.25W,频率 - 跃迁:200MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:TSMT6

引脚图与功能

暂无QST3TR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无QST3TR的工作原理信息

替代产品

暂无QST3TR的替代产品信息

PDF资料

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