J109,126技术参数_J109,126资料_J109,126引脚图

J109,126

概述

JFET N-CH 25V 80MA SOT54

厂商

NXP Semiconductors

参数

包装:带盒（TB）,系列:-,不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):80mA @ 15V,漏源极电压 (Vdss):25V,漏极电流 (Id) - 最大值:-,FET 类型:N 沟道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25V,不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2V @ 1µA,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30pF @ 10V（VGS）,电阻 - RDS（开）:12 欧姆,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线,供应商器件封装:TO-92-3,功率 - 最大值:400mW

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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IC技术参数

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