EPC1013技术参数_EPC1013资料_EPC1013引脚图

EPC1013

概述

TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE

厂商

EPC

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):150V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 5A，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.7nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):110pF @ 75V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:4-LGA,供应商器件封装:4-LGA（1.7x0.9）

引脚图与功能

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工作原理

暂无EPC1013的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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